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Samsung, Micron Technology, Altera a Xilinx fundaram um consórcio para alavancar um novo modelo de memória de baixa potência chamada Hybrid Memory Cube, inciando a produção em massa em 2015. 

 
De acordo com nota do IDGNow!, as fabricantes esperam que o formato seja visto como uma alternativa para a memória de alto desempenho DDR3, presente em computadores e redes nos últimos anos.
 
O consórcio está planejando unir as fabricantes de processadores e dispositivos para desenvolver uma especificação aberta para a tecnologia de memória, que promete oferecer um consumo de energia mais eficiente e melhor desempenho que as tecnologias DRAM, incluindo a DDR3, afirmaram as empresas.
 
As especificações da tecnologia devem estar prontas em 2012. A Intel já fez demonstrações da tecnologia no mês passado, obtendo um consumo de energia sete vezes mais eficiente no consumo de energia energia do que as do modelo com memória DDR3.
 
Efeitos na HT Micron?
Uma eventual virada no padrão de memórias da indústria pode ter efeitos no Rio Grande do Sul, onde a joint venture brasileiro coreana HT Micron está investindo US$ 200 milhões para montar uma fábrica de encapsulamento de chips em São Leopoldo.
 
Um dos produtos que a fábrica deve produzir são justamente memória DDR3, além de chips para memórias flash para USB e cartões de celulares.
 
As projeções da empresa são de faturar US$ 300 milhões até 2012 e US$ 1 bilhão até 2015, de olho no déficit da balança comercial de semicondutores, que hoje é de US$ 17 bilhões.